Физический энциклопедический словарь - п-структура(структура металл &mdash диэлектрик &mdash полупроводник)
П-структура(структура металл &mdash диэлектрик &mdash полупроводник)
Рис. Схема МОП-транзистора.
Наиболее распространён кремниевый МОП-т р а н з и с т о р (металл — окисел металла — полупроводник). На подложке Si р-типа (рис.) окислением создаётся тонкий диэлектрич. слой двуокиси SiО2 (толщиной 1000 Å) и наносится металлич. электрод (з а т в о р). Под поверхностью диэлектрика в Si р-типа создаются на нек-ром: расстоянии друг от друга две области с электронной проводимостью, к к-рым подводятся металлич. контакты (исток и сток). Если к затвору приложить положит. потенциал, то все эл-ны под ним в Si (р) притянутся к тонкому слою диэлектрика, создав там проводящий инверсионный слой n-типа. В результате между стоком и истоком образуется канал, по к-рому течёт ток. Подобная система эквивалентна вакуумному триоду (исток — катод, сток — анод, затвор — сетка). Она может служить также элементом памяти. Для этого диэлектрик делается двухслойным — тонкий слой SiО2 и нитрида кремния. Электрич. заряд, введённый в Si, можно (с помощью нек-рых физ. процессов) перевести из Si в ловушки на границе окисел — нитрид. В этих ловушках заряд сохраняется длительно после снятия напряжения между затвором и подложкой (запоминание). Это состояние можно считывать по изменению свойств приповерхностной области подложки. М — Д — П-с.— один из базовых элементов твердотельной электроники. Они служат также для изучения поверхностных свойств полупроводников (вблизи его границы с диэлектриком).
• Мейндл Дж., Элементы микроэлектронных схем, «УФН», 1979, т. 127, в. 2; 3 и С. М., Физика полупроводниковых приборов, М., 1973.
399
Вопрос-ответ:
Самые популярные термины
1 | 1381 | |
2 | 1051 | |
3 | 994 | |
4 | 943 | |
5 | 925 | |
6 | 828 | |
7 | 802 | |
8 | 801 | |
9 | 712 | |
10 | 710 | |
11 | 689 | |
12 | 637 | |
13 | 627 | |
14 | 614 | |
15 | 533 | |
16 | 524 | |
17 | 517 | |
18 | 501 | |
19 | 483 | |
20 | 479 |